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  在自然界中，有一种雪白略带淡蓝色的金属“铟”，它质地软、可延展、电阻低、抗腐蚀，具有较好的光渗透性和较强的导电性等长处。以铟制成的ITO(氧化铟锡)作为靶材，大范围的使用在液晶显示器、平板屏幕、触摸屏、光学镀膜等产品的出产。

  此外，它也被应用在异质结电池制程的第三个环节，即经过PVD设备，使用磁控溅射原理，将靶材(ITO)沉积到硅片外表，制备双面共同的通明导电膜(TCO)。

  但是，作为一种稀有金属，铟的价格较高，因而，为促进异质结技能的降本增效工业化开展，迈为股份从设备端与工艺端等方面“多管齐下”，继续推进异质结TCO的低铟计划，尽力下降异质结电池对铟的依靠，防止制作端被其掣肘。以下为您介绍迈为的“降铟三部曲”：

  关于异质结电池的PVD设备，迈为从研制规划之初就注重靶材单耗的下降。经过对溅射单元的一直在优化，现在迈为的最新设备关于100%铟基靶材的理论单耗已从近20mg/W降至13.5mg/W，旧设备亦可晋级。

  在努力优化靶材单耗的过程中，得益于对许多测试数据与改善计划的深沉堆集，迈为已构成明晰、有用的单耗下降技能途径。估计在2023年底，迈为供给的异质结电池制作全体解决计划中，关于100%铟基靶材的理论单耗可下降到12mg/W左右。

  将低铟叠层膜计划（50%无铟）与上述设备改善计划相结合，铟基靶材理论单耗可下降至6mg/W左右。

  经过继续不断的工艺研制，迈为选用50%铟基+50%非铟基叠层TCO制备的异质结电池，其转化功率已可与全铟基TCO电池相等。一起，低铟基计划具有杰出的可靠性与安稳性，与铜电镀以及银包铜等低成本计划亦可完美结合。

  关于此类低铟计划，迈为的PVD设备均可兼容，仅需经过靶材与靶位调整即可轻松导入。考虑到非铟基靶材的品种许多，其电阻率的跨度很大，迈为的PVD设备是选用多种输入形式，能够让非铟基靶材的溅射愈加安稳。

  异质结工业的规划正日益扩展，铟资料的收回可进一步完成，结合无铟靶材的逐渐深化，吉瓦(GW)级异质结电池工厂的铟消耗量将有望下降至1mg/W。

  经过持之以恒的设备优化与技能创新，迈为股份聚集异质结技能，不断拓展其降本之路，勇攀其增效之峰。上一年8月，公司就已选用低铟（50%）含量的TCO工艺结合铜电镀栅线%的异质结电池功率ISFH认证，与全铟基计划下的电池功率共同。在此次 “降铟三部曲”的推进下，迈为股份将助力异质结工业迎来愈加光亮与宽广的未来。